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論文

Test structure for determining the charge distribution in the oxide of MOS structure

高橋 芳浩*; 今木 俊作*; 大西 一功*; 吉川 正人

Proceedings of IEEE 1995 International Coferece on Microelectronic Test Structures, Vol.8, p.243 - 246, 1995/03

放射線照射や電荷注入による捕獲電荷がMOS構造の酸化膜中において分布する場合、その膜中電荷分布を把握することは電荷捕獲機構や素子特性への影響などを解明する上で重要である。我々は、酸化膜厚をエッチングにより同一基板内で連続的に変化させ、各膜厚に対するMOS構造のミッドギャップ電圧により酸化膜中の電荷分布評価を行う方法を考案した。今回この方法を用いて、MOS構造の酸化膜中電荷分布に及ぼす酸化膜形成後のNH$$_{3}$$雰囲気中での高温熱処理の影響について評価した。その結果、熱処理を行っていない酸化膜中では、これまでの報告と同様にSi-SiO$$_{2}$$界面付近に正電荷が局在することが確認された。またNH$$_{3}$$雰囲気中の熱処理を施すと、界面より20nm付近に正電荷および負電荷が発生し、これらの発生量は熱処理時間に依存することがわかった。この現象は酸化膜中への窒素の拡散に起因するものと考えられる。

論文

窒化膜を有するMIS構造の電気特性に及ぼす熱処理効果

斉藤 一成*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*

平成5年度 (第37回)日本大学理工学部学術講演会講演論文集; 材料・物性, p.133 - 134, 1993/00

不揮発性記憶素子や高密度集積回路で注目されているMONOS構造のPOA(酸化膜成長後のアニール)処理とPNA(窒化膜堆積後のアニール)処理による、電気的特性と放射線照射効果に及ぼす影響について検討した。その結果、放射線照射前のMONOS構造はMOS,MNOS構造とは異なり、POA処理により固定正電荷密度、界面準位密度は減少せず、高温PNA処理を施したMNOS構造と同様な特性を示すことがわかった。また、MONOS構造のC-V特性における遷移領域には顕著な周波数分散がみられること、放射線照射によりミッドギャップ電圧はMNOS構造とは異なり負方向にシフトすることが確認され、これらの現象は窒化膜堆積後の高温熱処理に起因することがわかった。

論文

Ion-molecule reactions in the binary mixture of acetaldehyde and trioxane, 2; Mechanism for the reaction of acetaldehyde molecular ion with trioxane

熊倉 稔; 荒川 和夫; 杉浦 俊男

Canadian Journal of Chemistry, 56(4), p.533 - 537, 1978/04

https://doi.org/10.1139/v78-086
 被引用回数：6

アセトアルデヒド分子イオンとトリオキサンとの縮合一脱離イオン分子反応によってC$$_{3}$$H$$_{5}$$O$$_{2}$$$$^{+}$$,C$$_{3}$$H$$_{6}$$O$$_{2}$$$$^{+}$$,C$$_{3}$$H$$_{7}$$O$$_{2}$$$$^{+}$$が生成された。この反応は反応中間体の分解過程を経て進行し、ホルルアルデヒド中性分子の脱離ガ起こることが明らかになり、また、中間体の構造は正電荷がアセトアルデ分子成分に極在化された直線型であることが判明した。中間体イオンの分解過程において若干の水素原子の再配列が起こることが推定された。

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